[实用新型]一种镀膜设备有效
申请号: | 201220510671.9 | 申请日: | 2012-09-29 |
公开(公告)号: | CN203034099U | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 金井升;黄纪德;许佳平;王单单;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 上饶光电高科技有限公司 |
主分类号: | C23C28/04 | 分类号: | C23C28/04;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 334100 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种镀膜设备,在该设备中可形成氧化层和氮化层的叠层,且所述氧化层为低温氧化层,该设备包括:反应腔室;与该反应腔室相连的气体管路,该气体管路连接氧化性气体源,该气体管路为在常规镀膜设备上新增的气体管路。本实用新型实施例通过在镀膜设备中引入氧化性气体管路,可以在此种镀膜设备中形成氧化层和氮化层的叠层结构,进一步提高减反射膜的钝化作用,从而提高太阳能电池的转化效率;并且将氧化层和氮化层的制作过程集成在一个镀膜设备中,此种镀膜设备避免在叠层结构制作过程中增加额外设备成本,简化了制作工艺,方便投入大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 镀膜 设备 | ||
【主权项】:
一种镀膜设备,其特征在于,在该设备中可形成氧化层和氮化层的叠层,且所述氧化层为低温氧化层,该设备包括: 反应腔室; 与该反应腔室相连的气体管路,该气体管路连接氧化性气体源,该气体管路为在离子束蒸发设备、磁控溅射设备、APCVD设备、LPCVD设备或PECVD设备上新增的气体管路。
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