[实用新型]半导体发光元件有效

专利信息
申请号: 201220521920.4 申请日: 2012-10-11
公开(公告)号: CN202797052U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 梁秉文 申请(专利权)人: 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 王宏婧
地址: 314300 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种半导体发光元件。所述半导体发光元件包括第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极焊盘,所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层从下往上依次层叠设置,所述第一电极焊盘设置在所述第二半导体层上,并与所述第二半导体层电连接,所述发光层发出的光线穿过所述第二半导体层出射,所述半导体发光元件进一步包括电流阻挡层,所述电流阻挡层嵌于所述第二半导体层中,并位于所述第一电极焊盘的下方;所述电流阻挡层使得电流至少更多流向未被所述电流阻挡层遮蔽的发光层区域。本实用新型的半导体发光元件能够提高所述半导体发光元件的发光效率。
搜索关键词: 半导体 发光 元件
【主权项】:
一种半导体发光元件,其包括第一衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极焊盘,所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层从下往上依次设置于所述第一衬底上,所述第一电极焊盘设置在所述第二半导体层上,并与所述第二半导体层电连接,所述发光层发出的光线穿过所述第二半导体层出射,其特征在于:所述半导体发光元件进一步包括电流阻挡层,所述电流阻挡层嵌于所述第二半导体层中,并位于所述第一电极焊盘的下方;所述电流阻挡层用于使电流至少更多流向未被所述电流阻挡层遮蔽的发光层区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光达光电设备科技(嘉兴)有限公司,未经光达光电设备科技(嘉兴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220521920.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top