[实用新型]半导体发光元件有效
申请号: | 201220521920.4 | 申请日: | 2012-10-11 |
公开(公告)号: | CN202797052U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 梁秉文 | 申请(专利权)人: | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种半导体发光元件。所述半导体发光元件包括第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极焊盘,所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层从下往上依次层叠设置,所述第一电极焊盘设置在所述第二半导体层上,并与所述第二半导体层电连接,所述发光层发出的光线穿过所述第二半导体层出射,所述半导体发光元件进一步包括电流阻挡层,所述电流阻挡层嵌于所述第二半导体层中,并位于所述第一电极焊盘的下方;所述电流阻挡层使得电流至少更多流向未被所述电流阻挡层遮蔽的发光层区域。本实用新型的半导体发光元件能够提高所述半导体发光元件的发光效率。 | ||
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【主权项】:
一种半导体发光元件,其包括第一衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极焊盘,所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层从下往上依次设置于所述第一衬底上,所述第一电极焊盘设置在所述第二半导体层上,并与所述第二半导体层电连接,所述发光层发出的光线穿过所述第二半导体层出射,其特征在于:所述半导体发光元件进一步包括电流阻挡层,所述电流阻挡层嵌于所述第二半导体层中,并位于所述第一电极焊盘的下方;所述电流阻挡层用于使电流至少更多流向未被所述电流阻挡层遮蔽的发光层区域。
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