[实用新型]电压极性转换电路有效

专利信息
申请号: 201220523755.6 申请日: 2012-10-12
公开(公告)号: CN202856644U 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 李晔辰;李斌 申请(专利权)人: 大连硅展科技有限公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 116035 辽宁省大连市*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 实用新型公开了一种电压极性转换电路。该电路包括两个NMOS管和两个PMOS管,其中,第一NMOS管的栅极与第二NMOS管、第二PMOS管的漏端均连接,第一NMOS管的源端与第二NMOS管的源端相连接;第二NMOS管的栅极与第一NMOS管、第一PMOS管的漏端均连接;第一PMOS管的栅极与第二NMOS管、第二PMOS管的漏端均连接,第一PMOS管的源端与第二PMOS管的源端相连接;第二PMOS管的栅极与第一NMOS管、第一PMOS管的漏端均连接;在第一NMOS管的漏端和第一PMOS管的漏端之间设置一个输入端,在第二NMOS管的漏端和第二PMOS管的漏端之间设置另一个输入端,在第一NMOS管的源端和第二NMOS管的源端之间设置一个输出端,在第一PMOS管的源端和第二PMOS管的源端之间设置另一个输出端。通过本实用新型,能够提高低电压时极性转换时的传输效率。
搜索关键词: 电压 极性 转换 电路
【主权项】:
一种电压极性转换电路,其特征在于,包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管,其中:所述第一NMOS管的栅极(G1)与所述第二NMOS管的漏端(D2)和所述第二PMOS管的漏端(D4)相连接,所述第一NMOS管的源端(S1)与所述第二NMOS管的源端(S2)相连接;所述第二NMOS管的栅极(G2)与所述第一NMOS管的漏端(D1)和所述第一PMOS管的漏端(D3)相连接;所述第一PMOS管的栅极(G3)与所述第二NMOS管的漏端(D2)和所述第二PMOS管的漏端(D4)相连接,所述第一PMOS管的源端(S3)与所述第二PMOS管的源端(S4)相连接;所述第二PMOS管的栅极(G4)与所述第一NMOS管的漏端(D1)和所述第一PMOS管的漏端(D3)相连接;在所述第一NMOS管的漏端(D1)和所述第一PMOS管的漏端(D3)之间设置有第一节点,在所述第二NMOS管的漏端(D2)和所述第二PMOS管的漏端(D4)之间设置有第二节点,所述第一节点为电压极性转换电路的第一输入端,所述第二节点为所述电路的第二输入端;以及在所述第一NMOS管的源端(S1)与所述第二NMOS管的源端(S2)之间设置有第三节点,在所述第一PMOS管的源端(S3)与所述第二PMOS管的源端(S4)之间设置有第四节点,所述第三节点为所述电路的负向输出端,所述第四节点为所述电路的正向输出端。
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