[实用新型]一种带抗饱和网络的高反压晶体管有效
| 申请号： | 201220535054.4 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN202856705U | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨林;严向阳;张国光;庞学景;徐庆文;刘晓荣 | 申请（专利权）人： | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/56 | 分类号： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 艾持平 |
| 地址： | 528051 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种带抗饱和网络的高反压晶体管，其晶片上以NPN晶体管为主晶体管，其特征在于：晶片上还集成有由PNP晶体管和二极管构成的有源抗饱和电路，其中，PNP晶体管的发射极与NPN晶体管的基极连接，PNP晶体管的集电极与NPN晶体管的发射极连接，PNP晶体管的基极与NPN晶体管的集电极连接，这样的设计，改善高反压晶体管的开关特性，降低工作温升，减少晶体管的损耗，提高大批量生产时的工艺宽容度，具有结构精巧简单，可靠性高，高温特性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 饱和 网络 高反压 晶体管 | ||
【主权项】：
一种带抗饱和网络的高反压晶体管，其晶片上以NPN晶体管（VT1）为主晶体管，其特征在于：所述晶片上还集成有由PNP晶体管（VT2）和二极管（VD）构成的有源抗饱和电路，其中，PNP晶体管（VT2）的发射极与NPN晶体管（VT1）的基极连接，PNP晶体管（VT2）的集电极与NPN晶体管（VT1）的发射极连接，PNP晶体管（VT2）的基极与NPN晶体管（VT1）的集电极连接。
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