[实用新型]用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备有效

专利信息
申请号: 201220540586.7 申请日: 2012-10-19
公开(公告)号: CN202898527U 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 陈五奎;雷晓全;任红耀;王斌 申请(专利权)人: 陕西拓日新能源科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 孟海娟
地址: 715200 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及太阳能领域,尤其涉及用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备。本实用新型采取如下技术方案:用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备,其特征在于,包含镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备,镀层工作运行轨道贯穿过抽真空传动装备和镀膜工作室,镀层工作运行轨道由一根以上平行的旋转拖轴组成,镀膜工作室对应的镀层工作运行轨道上有铝靶,镀膜工作室外部有换气管道,换气管道连接氩气管,镀膜工作室上方有高压电极,还包含可将正离子驱动向铝靶的磁场发生装置。采用如上技术方案的本实用新型,具有如下有益效果:镀膜效果好,冷却效果好,抽真空效果好。
搜索关键词: 用于 非晶硅 背面 沉积 磁控溅射 设备
【主权项】:
用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备,其特征在于,包含镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备,镀层工作运行轨道(1)贯穿过抽真空传动装备和镀膜工作室,镀层工作运行轨道(1)由一根以上平行的旋转拖轴组成,镀膜工作室对应的镀层工作运行轨道(1)上有铝靶(2),镀膜工作室外部有换气管道(6),换气管道(6)连接氩气管(7),镀膜工作室上方有高压电极(3),还包含可将正离子驱动向铝靶(2)的磁场发生装置。
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