[实用新型]基于PVDF阵列的压电式次声波传感器有效
| 申请号： | 201220604790.0 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN202928686U | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 万舟;曹碧生;熊新;朱森森;程立;韩锦川 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | G01H11/08 | 分类号： | G01H11/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于压电材料PVDF阵列的压电式次声波传感器，其包括外壳、接收平膜片、采集平膜片、接收平膜片箍、采集平膜片箍、基座和PVDF压电薄膜，其中将两片弹性平膜片固定在外壳两端，用于在次声波作用下产生变形，次声波接收平膜片和次声波采集平膜片间填注硅油，实现次声波接收平膜片与信号采集平膜片的有效隔离，有利于接收信号的均匀稳定的传递，增加了传感的阻尼系数，进而增强防止杂波干扰的能力；压电材料PVDF薄膜阵列的使用，增强检测信号和减小检测信号的误差；提高了次声波传感器的测量灵敏度，对低频和超低频响应效果好，减小了杂波干扰，有效防止高温、高湿及高激励等环境的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 pvdf 阵列 压电 次声波 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于PVDF阵列的压电式次声波传感器，其特征在于：其包括外壳（1）、接收平膜片（2）、采集平膜片（3）、接收平膜片箍（4）、采集平膜片箍（5）、基座（6）、PVDF压电薄膜（7），外壳（1）固定在基座（6）上，接收平膜片（2）和采集平膜片（3）通过接收平膜片箍（4）和采集平膜片箍（5）固定在外壳（1）的两截面端上， PVDF压电薄膜（7）阵列设置在采集平膜片（3）的靠近基座（6）的一侧。
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