[实用新型]用于密码芯片的抗功耗分析攻击的稳压器、密码芯片有效
| 申请号： | 201220605165.8 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN203180937U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 白蓉蓉;杨培;刘忠志;曹靖 | 申请（专利权）人： | 北京昆腾微电子有限公司 |
| 主分类号： | H04L9/18 | 分类号： | H04L9/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100195 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于密码芯片的抗功耗分析攻击的稳压器、密码芯片。该稳压器包括：第一PMOS管和第二PMOS管组成的电流镜，其中，第一PMOS管的源极为参考电压输入端，第二PMOS管的源极为稳压器的电压输出端；第一电流源，连接在第一PMOS管的源极和电源之间；第二电流源，连接在第一PMOS管的漏极和公共地之间；第三电流源，连接在第二PMOS管的漏极和公共地之间；控制字发生器，用于根据密码芯片的状态，生成电流控制字；分流电流源，连接在第二PMOS管的源极和电源之间；第三NMOS管，连接在第二PMOS管的源极与公共地端之间第二PMOS管的源极和电源之间。本实用新型可以通过有意地控制密码芯片电源上消耗的功耗，使得攻击者无法从芯片电源的功耗上获取保密信息。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 密码 芯片 功耗 分析 攻击 稳压器 | ||
【主权项】：
一种用于密码芯片的抗功耗分析攻击的稳压器，其特征在于，包括： 第一PMOS管和第二PMOS管组成的电流镜，其中，所述第一PMOS管的源极为参考电压输入端，所述第二PMOS管的源极为所述稳压器的电压输出端； 第一电流源，连接在所述第一PMOS管的源极和电源之间； 第二电流源，连接在所述第一PMOS管的漏极和公共地之间； 第三电流源，连接在所述第二PMOS管的漏极和公共地之间； 控制字发生器，用于根据所述密码芯片的状态，生成电流控制字； 分流电流源，连接在所述第二PMOS管的源极和电源之间，所述分流电流源的电流值由所述电流控制字控制，其中，当所述密码芯片处于加解密运算状态时，所述电流控制字为随机码，所述分流电流源的电流值为随机电流值； 第三NMOS管，连接在所述第二PMOS管的源极与公共地之间。
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