[实用新型]一种超级结MOSFET有效
| 申请号： | 201220611579.1 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN203013734U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 钟树理;朱超群;万祎;曾爱平;陈宇 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315800 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种超级结MOSFET结构，其包括形成在衬底上的元胞区和包围所述元胞区的终端区，所述元胞区内和终端区内分别形成有间距相等的直条型沟槽，所述沟槽内形成有第一导电类型的第一外延层，所述沟槽之间为第二导电类型的第二外延层，所述终端区的沟槽沿从外向里的方向的排布方式一致。本实用新型的超级结MOSFET沿从终端区向元胞区的方向上，终端区各边的沟槽排布方式一致，即终端区各边的沟槽都沿从外向里的方向垂直排布，或终端区各边的沟槽都沿从外向里的方向平行排布。终端区各边的沟槽排布方式一致，使该超级结MOSFET的高压大电流的泄放在各边是平均的，泄流通道更大，泄流能力就更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 mosfet | ||
【主权项】：
一种超级结MOSFET结构，其特征在于，包括元胞区和终端区，所述终端区包围所述元胞区，所述元胞区内和终端区内分别形成有间距相等的直条型沟槽，所述沟槽内形成有第一导电类型的第一外延层，所述沟槽之间为第二导电类型的第二外延层，所述终端区各边的沟槽沿从外向里的方向的排布方式一致，所述第一导电类型为n型掺杂，所述第二导电类型为p型掺杂。
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