[实用新型]能够实现多芯片同测的晶圆有效
| 申请号： | 201220632743.7 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN202996827U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 谢晋春;桑浚之 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种能够实现多芯片同测的晶圆，包括晶圆，晶圆上设置有多个用于探针测试的压焊点，每个压焊点的上方和/或周边设置有一层金属层；压焊点与金属层相连接；所述压焊点的面积小于50um×50um。本实用新型在不增加芯片面积前提下增大了探针的扎针面积，能够有效提升探针卡多芯片同测的设计能力，从而提升晶圆测试效率。本实用新型能够有效进行多芯片同测探针卡的设计，有效提升测试效率，突破由于晶圆芯片压焊点过小可能无法进行晶圆级测试的限制。本实用新型成功解决了在日益减小的压焊点面积的背景下失效多芯片同测探针卡的设计及制造，以满足提升测试效率降低测试成本的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 实现 芯片 | ||
【主权项】：
一种能够实现多芯片同测的晶圆，其特征在于：包括晶圆，晶圆上设置有多个用于探针测试的压焊点，每个压焊点的上方和/或周边设置有一层金属层；压焊点与金属层相连接；所述压焊点的面积小于50um×50um。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220632743.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
