[实用新型]一种半导体功率器件有效
| 申请号： | 201220652041.5 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN203026509U | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;田晓丽;卢烁今;陆江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体功率器件，包括有源区、终端区及位于二者之间的主结，所述终端区包括终端结构，所述有源区包括基区，所述基区、主结、终端结构的掺杂类型相同，所述主结与所述有源区的基区同时形成，所述主结的结深与所述基区的结深相同，所述主结的掺杂浓度与所述基区的掺杂浓度相同，且所述主结的结深小于所述终端结构的结深，所述主结的掺杂浓度小于所述终端结构的掺杂浓度。主结的结深小于终端结构的结深，使主结与终端结构之间的区域能够承受的压降增加，主结的掺杂浓度降低，能够提高一定长度耗尽区承受的压降，这两个方面均能够提高器件的耐压能力，进而减小半导体功率器件的终端面积，降低了器件的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件，其特征在于，包括： 有源区、终端区及位于二者之间的主结，所述终端区包括终端结构，所述有源区包括基区，所述基区、主结、终端结构的掺杂类型相同，所述主结与所述有源区的基区同时形成，所述主结的结深与所述基区的结深相同，且所述主结的结深小于所述终端结构的结深。
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