[实用新型]一种半透半反式内嵌触摸屏及显示装置有效
申请号: | 201220652898.7 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN202939579U | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 杨盛际;董学;李成;王海生;刘英明 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G02F1/1333;G02F1/13363;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半透半反式内嵌触摸屏及显示装置,在每个像素单元内设置透射区和反射区,透射区的液晶层的厚度大于反射区的液晶层的厚度,TFT阵列基板在反射区设置光学延迟层和反射层;由于光学延迟层补偿由液晶层厚度不同引起的光延迟差异,使各像素单元的反射区和透射区在电场开和关的状态下都能保持灰阶一致,达到半透半反式显示效果。在彩膜基板上设置触控感应电极,在TFT阵列基板上采用双栅结构,通过增加一倍数量的栅极信号线,节省出一部分数据信号线的位置,将触控驱动线设置在节省出的数据信号线的位置,以保证触摸屏具有较大的开口率,并采用分时驱动降低显示和触控的相互干扰,提高画面品质和触控准确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 半透半 反式 触摸屏 显示装置 | ||
【主权项】:
一种半透半反式内嵌触摸屏,包括:彩膜基板,薄膜晶体管TFT阵列基板,以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层;所述半透半反式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元,在每个像素单元设置有透射区和反射区;在所述TFT阵列基板相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线,且以相邻的两列像素单元为一组像素单元列,每组像素单元列共用一条位于该两列像素单元之间的数据信号线;其特征在于,所述透射区的液晶层的厚度大于所述反射区的液晶层的厚度;且所述TFT阵列基板在反射区内设置有光学延迟层和金属反射层;所述光学延迟层用于补偿由所述透射区的液晶层与所述反射区的液晶层的厚度差引起的光延迟;所述彩膜基板具有沿像素单元的行方向延伸的多条触控感应电极;所述TFT阵列基板具有沿着像素单元的列方向延伸的多条触控驱动线,各所述触控驱动线位于相邻组像素单元列之间的间隙处。
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