[实用新型]一种薄膜太阳能电池及制成它的p型半导体

摘要

本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池及制成它的p型半导体；薄膜太阳能电池结构为单结或者双结或者三结以上的多结结构，制成它的p型半导体由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，对于微晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为微晶硅µ-Si:H薄膜。本实用新型的p型半导体既能允许更多有用的光通过它进入本征吸收层i层，同时能与前电极或者前一结电池完美接触以最大限度的提升空穴的导出效率，从太阳光谱利用效率和载流子收集效率两方面进行提升以提高由该p型半导体制备的光伏电池的能量转换效率。

主权项

1.一种薄膜太阳能电池，其结构为单结结构：基板/前电极/p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/背电极；其特征在于：所述的p型半导体由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，其中p+层半导体薄膜、p-层半导体薄膜为具有不同光电特性的同一种材料制成，对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10^-5～5×10^-5S/cm，能带隙为1.8～1.9eV,厚度为40～80；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10^-7～5×10^-7S/cm，能带隙为2~2.1eV，厚度为30～100；对于微晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为微晶硅μ-Si:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10^-3～1×10^-2S/cm，能带隙为1.1～1.2eV,厚度为40～80；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10^-5～1×10^-4S/cm，能带隙为1.3～1.5eV，厚度为30～100。