[实用新型]一种非晶硅电池使用的p型半导体

摘要

本实用新型公开了一种非晶硅电池使用的p型半导体，其由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10-5～5×10-5S/cm，能带隙为1.8～1.9eV，厚度为40～80Å；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10-7～5×10-7S/cm，能带隙为2～2.1eV，厚度为30～100Å。本实用新型既能允许更多有用的光通过它进入本征吸收层i层，同时能与前电极或者前一结电池完美接触以最大限度的提升空穴的导出效率，从太阳光谱利用效率和载流子收集效率两方面进行提升以提高由该p型半导体制备的光伏电池的能量转换效率。

主权项

1.一种非晶硅电池使用的p型半导体，其特征在于：其由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10^-5～5×10^-5S/cm，能带隙为1.8～1.9eV,厚度为40～80；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10^-7～5×10^-7S/cm，能带隙为2～2.1eV，厚度为30～100。