[实用新型]一种晶闸型二极管芯片有效
| 申请号： | 201220677255.8 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN202996841U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 邓爱民;保爱林 | 申请（专利权）人： | 绍兴旭昌科技企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种晶闸型二极管芯片，属于半导体器件领域。包括长基区、阳极发射区、短基区和阴极发射区；阳极发射区、长基区、短基区和阴极发射区之间设有第一PN结、第二PN结和第三PN结；阳极发射区这一端形成阳极凸台，阴极发射区这一端形成阴极凸台，阳极凸台顶面分为对称的第一表面和第三表面，阴极凸台的顶面分为对称的第二表面和第四表面，其中第一表面和第三表面为阶梯状，其连接处形成阳极凸台顶面台阶，第二表面和第四表面也为阶梯状，连接处形成阴极凸台顶面台阶。上述晶闸型二极管芯片具有制造工艺简单、制造成本低、触发电流小、开关速度快等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶闸型 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种晶闸型二极管芯片，其特征在于：包括长基区、覆盖在长基区其中一个表面的阳极发射区、覆盖在长基区另一个表面的短基区、以及覆盖在短基区另一个表面的阴极发射区；其中，阳极发射区与长基区之间设有第一PN结，长基区和短基区之间设有第二PN结，短基区和阴极发射区之间设有第三PN结；所述晶闸型二极管芯片为台面型，阳极发射区该端形成阳极凸台，阴极发射区该端形成阴极凸台，第一PN结、第二PN结和第三PN结均暴露在上述凸台四周的侧壁上；阳极凸台顶面分为对称的第一表面和第三表面，阴极凸台的顶面分为对称的第二表面和第四表面，其中第一表面和第三表面为阶梯状，其连接处形成阳极凸台顶面台阶，第二表面和第四表面也为阶梯状，连接处形成阴极凸台顶面台阶。
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