[实用新型]多晶硅薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201220678516.8 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN202977493U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞鹏;连春元;于奎龙;沈伟妙;丁鹏;赵燕萍 | 申请（专利权）人： | 杭州赛昂电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种多晶硅薄膜太阳能电池，所述多晶硅薄膜太阳能电池包括：基板；位于所述基板表面的第一电极层；位于所述第一电极层表面的第一掺杂类型多晶硅层；位于所述第一掺杂类型多晶硅层表面的第二掺杂类型多晶硅层；位于所述第二掺杂类型多晶硅层表面的应力层，所述应力层的应力类型与所述第二掺杂类型多晶硅层的掺杂类型相对应；位于所述应力层表面的第二电极层。所述多晶硅薄膜太阳能电池能够有效提高太阳能的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，包括： 基板； 位于所述基板表面的第一电极层； 位于所述第一电极层表面的第一掺杂类型多晶硅层； 位于所述第一掺杂类型多晶硅层表面的第二掺杂类型多晶硅层； 位于所述第二掺杂类型多晶硅层表面的应力层，所述应力层的应力类型与所述第二掺杂类型多晶硅层的掺杂类型相对应； 位于所述应力层表面的第二电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
