[实用新型]阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201220687120.X 申请日: 2012-12-12
公开(公告)号: CN202957247U 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 宋泳锡;刘圣烈;崔承镇;金熙哲 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种阵列基板,包括多个位于基板上的像素单元,像素单元包括:形成在基板上的薄膜晶体管结构;以及由薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管,有机发光二极管位于像素单元的像素区域,有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、发光层、反射光线的第二电极;半反半透层,位于有机发光二极管与薄膜晶体管结构之间;彩膜,位于有机发光二极管的第二电极与半反半透层之间;有机发光二极管的第二电极与半反半透层形成微腔结构。还公开了包括上述阵列基板的显示装置。本实用新型在阵列基板上实现了结构,制作工艺简单的微腔结构。
搜索关键词: 阵列 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,包括多个位于基板上的像素单元,所述像素单元包括:形成在基板上的薄膜晶体管结构;以及由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管,所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域,所述有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、发光层、反射光线的第二电极;半反半透层,位于所述有机发光二极管与所述薄膜晶体管结构之间;彩膜,位于所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层之间;所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层形成微腔结构。
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