[实用新型]一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽有效
| 申请号： | 201220688948.7 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN202977424U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;赵佳;朱阳军;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种在沟槽型IGBT或者沟槽型VDMOS上形成的沟槽，属于半导体器件技术领域。该沟槽的侧面为100面。该沟槽由于侧面为100面，并且100面氧化层生长速率较低，其表面更光滑，所以100面的表面迁移率较高，即如果沟槽的侧面为100面，Im/Is的比例较大，起调制作用的电子较多，器件的导通电阻较小，器件导通压降较低，进而，器件导通功率损耗较少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 或者 vdmos 形成 沟槽 | ||
【主权项】：
一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽，其特征在于，侧面为100面。
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