[实用新型]一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵有效

专利信息
申请号: 201220692667.9 申请日: 2012-12-15
公开(公告)号: CN203011157U 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 李言;黄瑞南;林榕 申请(专利权)人: 汕头高新区松田实业有限公司
主分类号: F27D5/00 分类号: F27D5/00
代理公司: 汕头市潮睿专利事务有限公司 44230 代理人: 林天普;丁德轩
地址: 515041 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵,包括匣钵主体和多个支撑块,匣钵主体和支撑块由刚玉莫来石材料制成一体,匣钵主体包括底板和侧壁,底板和侧壁围成一顶部具有开口的腔体,支撑块设于侧壁顶部,其特征是:所述底板的下表面上涂覆有氧化锆层。本实用新型的匣钵通过在其底板的下表面上涂覆上氧化锆层,能够防止在高温烧结过程中刚玉莫来石材料脱落并附着在下一层匣钵内的陶瓷电容器介质生坯上,避免因陶瓷电容器介质材料与刚玉莫来石材料发生低固熔反应而导致在烧成的半导体陶瓷电容器介质芯片上出现孔洞的情况的发生,从而确保半导体陶瓷电容器介质芯片的抗电强度,使最终制得的半导体陶瓷电容器产品具有较佳的绝缘性能。
搜索关键词: 一种 用于 半导体 陶瓷 电容器 介质 芯片 烧结 匣钵
【主权项】:
一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵,包括匣钵主体和多个支撑块,匣钵主体和支撑块由刚玉莫来石材料制成一体,匣钵主体包括底板和侧壁,底板和侧壁围成一顶部具有开口的腔体,支撑块设于侧壁顶部,其特征是:所述底板的下表面上涂覆有氧化锆层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汕头高新区松田实业有限公司,未经汕头高新区松田实业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220692667.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top