[实用新型]一种TFT阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201220717780.8 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN202948926U | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供了一种TFT阵列基板及显示装置，涉及显示领域，可以减少进行构图工艺的次数，降低工艺复杂度及制作成本。所述TFT阵列基板，包括：设置在基板上的包括栅极的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，通过一次构图工艺形成的带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述包括有源层的图案位于所述栅极，以及所述栅绝缘层的过孔周边区域的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板，包括设置在基板上的包括栅极的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其特征在于，还包括：通过一次构图工艺形成的带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述包括有源层的图案位于所述栅极，以及所述栅绝缘层的过孔周边区域的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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