[实用新型]一种肖特基二极管有效
| 申请号： | 201220718786.7 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN203260589U | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王艳春 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315800 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种肖特基二极管，该肖特基二极管包括：阴极金属层；形成在阴极金属层之上的重掺第一类型掺杂衬底层；形成在重掺第一类型掺杂衬底层之上的轻掺第一类型掺杂外延层；形成在轻掺第一类型掺杂外延层之上的阳极金属层，其中，轻掺第一类型掺杂外延层与阳极金属层的界面处形成了肖特基势垒区；以及形成在肖特基势垒区和轻掺第一类型掺杂外延层之中的至少一个第二类型掺杂扩散区，其中，第二类型掺杂扩散区与阳极金属层形成欧姆接触。本实用新型具有反向耐压高、正向降压效果好、功耗小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括：阴极金属层； 形成在所述阴极金属层之上的重掺第一类型掺杂衬底层； 形成在所述重掺第一类型掺杂衬底层之上的轻掺第一类型掺杂外延层； 形成在所述轻掺第一类型掺杂外延层之上的阳极金属层，其中，所述轻掺第一类型掺杂外延层与所述阳极金属层的界面处形成了肖特基势垒区；以及 形成在所述肖特基势垒区和轻掺第一类型掺杂外延层之中的至少一个第二类型掺杂扩散区，其中，所述第二类型掺杂扩散区与所述阳极金属层形成欧姆接触， 其中，多个所述第二类型掺杂扩散区总面积小于所述肖特基势垒区面积的一半，并且相邻两个所述第二类型掺杂扩散区的间隔相等且大于所述第二类型掺杂扩散区的宽度与深度之和。
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