[实用新型]一种修调电阻有效
| 申请号： | 201220728878.3 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN203179876U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;陈文伟;刘慧勇;韩健;江宇雷;雷辉 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；修调熔丝，由熔丝淀积形成于介质层上，修调熔丝有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在修调熔丝的两端分别有连接垫；钝化层，形成在修调熔丝和介质层上，钝化层有对应修调结构的修调窗口和分别有对应连接垫的压点窗口。本实用新型还提供修调电阻的制造方法，利用修调熔丝在熔断区域中具有改变电流密度大小的修调结构，使修调结构处的熔丝有效横截面积偏小，电流密度偏大，熔断位置固定，熔断区域较小，同时使熔丝上的修调窗口开孔较小，以降低修调电阻上的修调窗口过大所导致的金属残留和化学残留等所引起的可靠性风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 | ||
【主权项】：
一种修调电阻，包括： 一半导体衬底； 一介质层，形成于所述半导体衬底上； 一修调熔丝，由熔丝淀积形成于所述介质层上，所述修调熔丝具有一熔断区域和两端，所述熔断区域中具有改变电流密度大小的修调结构以及在所述修调熔丝的两端分别具有一连接垫； 一钝化层，形成在所述修调熔丝和介质层上，所述钝化层具有对应所述修调结构的修调窗口和分别具有对应所述连接垫的一压点窗口。
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