[实用新型]一种用于MOCVD反应室的电磁加热装置有效
申请号: | 201220731752.1 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN202989278U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 李志明;李金屏;江海鹰 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 250000 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型的一种用于MOCVD反应室的电磁加热装置,包括石墨基座和线圈,所述石墨基座为圆柱形且线圈设置在石墨基座的下方,所述石墨基座上表面设置有向下凹陷的圆环形凹槽。本实用新型的有益效果是:圆环形凹槽改变了传统石墨基座单一的加热方式,根据电磁感应加热的特性,既有直接的热传导,又有辐射加热,提高了晶片温度分布的均匀性。对于大尺寸的晶片来说,不需要增加基座的高度,结构简单,加热效率高,更加适合在大尺寸的MOCVD反应室中使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 反应 电磁 加热 装置 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD反应室的电磁加热装置,包括石墨基座和线圈,其特征在于:所述石墨基座为圆柱形且线圈设置在石墨基座的下方,所述石墨基座上表面设置有向下凹陷的圆环形凹槽。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的