[实用新型]一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型有效
| 申请号： | 201220733234.3 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203065573U | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 童锐;张小刚;杨大谊;储凤舞 | 申请（专利权）人： | 太极能源科技（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 215333 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体以及一连接于该环状主体的手把；其中，所述晶片模型为石墨材质的晶片模型；所述环状主体四周的宽度为1cm~4cm；所述手把的长度为2cm~5cm。本实用新型具有以下有益效果：晶片模型的中间部位镂空，大大地节省了材料，有利于降低成本；因为晶片模型中间镂空后难以正常自动上下料，故在晶片模型中加上一个手把，可以方便地进行插片操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 石墨 舟烘舟 工艺 晶片 模型 | ||
【主权项】：
一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，其特征在于，所述晶片模型包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体以及一连接于该环状主体的手把。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
