[实用新型]负电荷泵电路有效

专利信息
申请号: 201220734121.5 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN203151371U 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 科奈斯·P·斯诺登 申请(专利权)人: 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 215021 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及负电荷泵电路。总的来说,本申请提供了一种配置为提供一低于基准电压(例如地电压)的电压的负电荷泵电路。该电荷泵电路包括阻塞电路,其降低或消除电荷泄漏从而可在输出端处形成负电压。该电荷泵电路总体包括互补的MOS开关对,所述互补的MOS开关对根据互补的电容器上形成的电荷以互补方式切换以提供负电压电源。
搜索关键词: 负电荷 电路
【主权项】:
一种负电荷泵电路,包括:第一PMOS/NMOS开关对,耦合在负电压输出端和基准电势之间;第二PMOS/NMOS开关对,耦合在所述负电压输出端和基准电势之间;第一电容器,具有耦合到第一时钟信号的正节点和耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对及所述第二PMOS/NMOS开关对的负节点,所述第一时钟信号配置为对所述第一电容器充电,所述负节点配置为控制所述第二PMOS/NMOS开关对的导通状态;第二电容器,具有耦合到第二时钟信号的正节点和耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对及所述第一PMOS/NMOS开关对的负节点,所述第二时钟信号配置为对所述第二电容器充电,所述负节点配置为控制所述第一PMOS/NMOS开关对的导通状态;第一阻塞电路,耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关并耦合到所述基准电势,所述第一阻塞电路配置为防止所述第一电容器的负节点处的电荷经所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势;和第二阻塞电路,耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对中的PMOS开关并耦合到所述基准电势,所述第二阻塞电路配置为防止所述第二电容器的负节点处的电荷经所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司,未经快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220734121.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top