[实用新型]功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构有效
| 申请号： | 201220739067.3 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN203013701U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 吕致纬 | 申请（专利权）人： | 矽格微电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/14;H01L23/367 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种封装结构，尤其是一种功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构，属于砷化镓芯片封装的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构，包括基板及位于所述基板上的砷化镓异质接面双极性晶体管；所述基板的第二支撑连接体与砷化镓异质接面双极性晶体管之间设有晶体管连接支撑体，所述晶体管连接支撑体包括位于第二支撑连接体上的导电薄膜，砷化镓异质接面双极性晶体管通过导电薄膜支撑连接在第二支撑连接体上。本实用新型结构紧凑，降低裂化或暗裂及表面污染的风险，避免溢胶造成的短路问题，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 功率放大器 模组 中砷化镓 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构，包括基板（1）及位于所述基板（1）上的砷化镓异质接面双极性晶体管（5）；其特征是：所述基板（1）的第二支撑连接体（3）与砷化镓异质接面双极性晶体管（5）之间设有晶体管连接支撑体，所述晶体管连接支撑体包括位于第二支撑连接体（3）上的导电薄膜（13），砷化镓异质接面双极性晶体管（5）通过导电薄膜（13）支撑连接在第二支撑连接体（3）上。
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