[发明专利]使用具有多重脉冲的脉冲列激光与等离子体体蚀刻的晶圆切割在审
| 申请号： | 201280001234.7 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103155137A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 类维生;S·辛格;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;A·库玛 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述切割半导体晶圆的方法，每个晶圆具有数个集成电路。一种方法包括以下步骤：于半导体晶圆上方形成光罩。该光罩由覆盖并保护该等集成电路的层所组成。以使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩，以提供具有间隔的图案化光罩。该图案化暴露出在集成电路之间的半导体晶圆的区域。之后经由图案化光罩中的间隔蚀刻半导体晶圆，以切割该等集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 多重 脉冲 激光 等离子体 蚀刻 切割 | ||
【主权项】：
一种切割包含数个集成电路的一半导体晶圆的方法，该方法包含以下步骤：于该半导体晶圆上方形成一光罩，该光罩包含一覆盖并保护该等集成电路的层；以一使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩，以提供一具有间隔的图案化光罩、于该等集成电路之间的该半导体晶圆的暴露区域；及经由该图案化光罩中的该等间隔蚀刻该半导体晶圆，以切割该等集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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