[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201280002602.X | 申请日： | 2012-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103283043A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 横川俊哉;安杖尚美;井上彰;加藤亮 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L21/20;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物系半导体元件，其是具备生长面为m面的p型接触层(26)、和在p型接触层(26)的生长面上所设置的电极(30)的氮化物系半导体元件。就p型接触层(26)而言，其具有26nm以上、60nm以下的厚度，且是含有所述p型接触层的Mg浓度以上之浓度的氧的GaN系半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体元件，具备：生长面为m面的p型接触层、和在所述p型接触层的所述生长面上所设置的电极，其中，所述p型接触层具有26nm以上、60nm以下的厚度，且是含有所述p型接触层的Mg浓度以上之浓度的氧的GaN系半导体层。
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