[发明专利]13族元素氮化物膜及其叠层体在审
| 申请号： | 201280003037.9 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103237931A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 岩井真;平尾崇行;吉野隆史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/02;H01L21/208;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;李晓 |
| 地址： | 日本爱知县名古*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在晶种基板（11）上，通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液，于含氮氛围下育成13族元素氮化物（3）。13族元素氮化物膜（3）含有夹杂物分布层（3a）和夹杂物缺乏层（3b），所述夹杂物分布层（3a）被设置于自晶种基板（11）侧的界面起50μm以下的区域，且分布有源自熔液的构成成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层（3b）被设置于该夹杂物分布层（3a）上。 | ||
| 搜索关键词： | 13 元素 氮化物 及其 叠层体 | ||
【主权项】：
一种13族元素氮化物膜，是在晶种基板上通过助熔剂法从含有助熔剂及13族元素的熔液于含氮氛围下育成的13族元素氮化物膜，其特征在于，所述13族元素氮化物膜含有夹杂物分布层和夹杂物缺乏层，所述夹杂物分布层被设置于自所述13族元素氮化物膜的所述晶种基板侧的界面起50μm以下的区域，且分布有源自所述熔液的成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层被设置于该夹杂物分布层上。
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