[发明专利]连接结构有效
申请号: | 201280003300.4 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN103168392A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 中野公介;高冈英清 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01R4/02 | 分类号: | H01R4/02;B23K35/26;B23K35/30;B23K35/363;C22C9/02;C22C9/05;C22C9/06;C22C13/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;赵曦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的连接结构适用于电子部件的安装、通孔连接等情况,在使用焊料将第1连接对象物和第2连接对象物连接的连接结构中,提高热冲击后的接合可靠性。利用WDX分析连接部(4)的剖面时,在该连接部(4)的剖面,形成了至少存在有Cu-Sn系、M-Sn系(M为Ni和/或Mn)以及Cu-M-Sn系的金属间化合物的区域(9)。另外,将连接部(4)的剖面沿纵和横分别均等地细分化为10块总计100块时,构成元素不同的金属间化合物至少存在2种以上的块数相对于除去在1块中仅存在Sn系金属成分的块以外的剩余总块数的比例为70%以上。 | ||
搜索关键词: | 连接 结构 | ||
【主权项】:
一种连接结构,是第1连接对象物和第2连接对象物通过连接部连接而成的连接结构,其特征在于,利用波长分散型X射线分析装置WDX分析所述连接部的剖面时,在该连接部的剖面,至少存在Cu‑Sn系、M‑Sn系以及Cu‑M‑Sn系的金属间化合物,M‑Sn中的M为Ni和/或Mn,并且将所述连接部的剖面沿纵和横分别均等地细分化为10块总计100块时,规定块数相对于除去在1块中仅存在Sn系金属成分的块以外的剩余总块数的比例为70%以上,所述规定块数是构成元素不同的金属间化合物至少存在2种以上的块数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280003300.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。