[发明专利]半导体发光器件

摘要

包含以非极性面为生长面的氮化物半导体有源层（106）的半导体发光芯片（100），在安装基板（101）的表面上、与被来自氮化物半导体有源层的光照射的区域的有源层平行且与来自该有源层的光的偏振方向垂直的结晶轴方向的芯片侧方的区域作为高偏振特性区域，被来自有源层的光照射的区域的高偏振特性区域以外的区域作为低偏振特性区域时，金属配置在高偏振特性区域的至少一部分的区域，低偏振特性区域的至少一部分的镜面反射的比例比金属的镜面反射的比例低，高偏振特性区域的镜面反射的比例比低偏振特性区域的镜面反射的比例高。

主权项

一种半导体发光器件，其特征在于，包括：安装基板；形成在所述安装基板的表面上的金属；和被保持于所述安装基板的表面上，包含以非极性面或半极性面为生长面的氮化物半导体有源层的半导体发光芯片，在所述安装基板的表面上，将被来自所述氮化物半导体有源层的光照射、且结晶轴方向的半导体发光芯片侧方的区域作为高偏振特性区域，所述结晶轴方向与所述氮化物半导体有源层平行、且与来自所述氮化物半导体有源层的光的偏振方向垂直，在所述安装基板的表面上，将被来自所述氮化物半导体有源层的光照射、且所述高偏振特性区域以外的区域作为低偏振特性区域时，所述金属配置在所述高偏振特性区域的至少一部分的区域，所述低偏振特性区域的至少一部分的镜面反射的比例比所述金属的镜面反射的比例低，所述高偏振特性区域中的镜面反射的比例比所述低偏振特性区域中的镜面反射的比例高。