[发明专利]金属膜的加工方法及加工装置无效
| 申请号： | 201280003850.6 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103229278A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 军司勋男;三好秀典;原谦一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;C23F4/00;H01J27/02;H01J37/317;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属膜的加工方法及加工装置。在利用气体团簇束对形成于被处理体（W）的表面的金属膜（72）进行加工的金属膜的加工方法中，通过将氧化金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的混合气体绝热膨胀来形成气体团簇束，使气体团簇束碰撞于被处理体的金属膜，从而对金属膜进行蚀刻加工。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 加工 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种金属膜的加工方法，包括如下步骤：形成步骤，使氧化所述金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与所述氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的混合气体，在能够真空排气的处理容器内绝热膨胀而形成气体团簇束；和加工步骤，通过使所述气体团簇束碰撞于形成在所述被处理体的表面的金属膜而对所述金属膜进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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