[发明专利]凸块电极检查方法及凸块电极检查系统有效
申请号: | 201280004123.1 | 申请日: | 2012-01-17 |
公开(公告)号: | CN103299409A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 中村琢也 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;G01R31/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 具备:在将具有与凸块电极(12)抵接的由金属制的突起构成的接触件的检查用电路基板(110)与检查对象物(10)按压的状态下测定检查对象物(10)的电特性的第一测定工序;在第一测定工序后,在将具有与凸块电极(12)抵接的由金属制的突起构成的接触件的检查用电路基板(110)与检查对象物(10)按压的状态下再次测定检查对象物(10)的电特性的第二测定工序。凸块电极(12)的在第一测定工序中与接触件抵接的区域即第一抵接区域与凸块电极(12)的在第二测定工序中与接触件抵接的区域即第二抵接区域至少在一部分不重复。 | ||
搜索关键词: | 电极 检查 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种凸块电极检查方法,是具有凸块电极(12)的检查对象物(10)的凸块电极检查方法,具备:在将具有与所述凸块电极(12)抵接的由金属制的突起构成的接触件的检查用电路基板与所述检查对象物(10)按压的状态下测定所述检查对象物(10)的电特性的第一测定工序;在所述第一测定工序后,在将具有与所述凸块电极(12)抵接的由金属制的突起构成的接触件的检查用电路基板与所述检查对象物(10)按压的状态下再次测定所述检查对象物(10)的电特性的第二测定工序,所述凸块电极(12)的在所述第一测定工序中与所述接触件抵接的区域即第一抵接区域与所述凸块电极(12)的在所述第二测定工序中与所述接触件抵接的区域即第二抵接区域至少在一部分不重复。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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