[发明专利]瞬态电压抑制器无效
| 申请号： | 201280004406.6 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103415821A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | J.M.乔尔根森;S.康;C.N.马拉克;J.卢 | 申请（专利权）人： | 力特保险丝有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/18 | 分类号： | G05F3/18;G05F3/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;刘春元 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种瞬态电压抑制器可以包括具有耦合到VCC的阳极的硅可控整流器(SCR)。所述SCR可以包括PNP晶体管(Q2)和NPN晶体管(Q3)，所述PNP晶体管具有与NPN晶体管的集电极公用的基极，并且所述PNP晶体管具有与NPN晶体管的基极公用的集电极。所述TVS可以进一步包括具有阳极和阴极的齐纳二极管，其中阳极直接耦合到所述NPN晶体管的基极和/或阴极直接耦合到所述PNP晶体管的基极；以及额外的NPN晶体管(Q1)。所述SCR的阴极可以直接耦合到额外的NPN晶体管的基极，并且额外的NPN晶体管的集电极和发射极可以直接串联耦合在VCC与接地之间。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制器 | ||
【主权项】：
一种用于保护组件的瞬态电压抑制器，所述保护组件耦合到被配置成提供电源电压VCC的电源，所述瞬态电压抑制器包括：硅可控整流器(SCR)，其具有耦合到被配置成在VCC处供应电压的第一端子的阳极，所述硅可控整流器包括PNP晶体管(Q2)和NPN晶体管(Q3)，所述PNP晶体管具有与所述NPN晶体管的集电极公用的基极，并且所述PNP晶体管具有与所述NPN晶体管的基极公用的集电极；齐纳二极管，其具有阳极和阴极，其中所述阳极直接耦合到所述NPN晶体管的所述基极和/或所述阴极直接耦合到所述PNP晶体管的所述基极；以及额外的NPN晶体管(Q1)，其中所述硅可控整流器的所述阴极直接耦合到所述额外的NPN晶体管的基极，并且其中所述额外的NPN晶体管的集电极和发射极直接串联耦合在VCC与接地之间。
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