[发明专利]导电结构体及其制备方法有效
| 申请号： | 201280004412.1 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103370748A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 林振炯;章盛皓;朴镇宇;金起焕;黄仁晳;金忠完;李承宪;具范谟;黄智泳 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/02 | 分类号： | H01B1/02;H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;王荣 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及一种包括暗化图形层的导电结构体及其制备方法，其中，所述暗化图形层包含MOxNy。根据本发明的实施方式的导电结构体能够防止由导电图形层引起的反射而不影响导电图形层的导电性，并且能够通过改善光的吸收而改善导电图形层的隐蔽性。因此，本发明的实施方式的导电结构体能够用于开发具有改善的可视度的显示面板。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种导电结构体，其包括：基板；导电图形层；和满足下列公式1的AlOxNy暗化图形层(x>0,y>0)，[公式1] 1 < ( Al ) at × 3 ( O ) at × 2 + ( N ) at × 3 < 2 其中，在AlOxNy中，x和y分别是指O和N原子的数量与一个Al原子的比值，并且基于在公式1中由AlOxNy表示的所有原子的100%含量，(Al)at表示Al的原子含量(at%)，(O)at表示O的原子含量(at%)，以及(N)at表示N的原子含量(at%)。
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