[发明专利]字线启动电路、半导体存储装置以及半导体集成电路无效
| 申请号： | 201280004425.9 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103282964A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 新田忠司;小池刚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/41;G11C11/418 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 若在信号(IN)是“H”，NMOS晶体管(403)处于导通状态时，信号(PCLK)成为“H”，PMOS晶体管(401)变成截止状态，便成为输出节点(N1)经NMOS晶体管(403)与字线启动信号(WACTCLK)连接的状态。当字线启动信号(WACTCLK)变化到“L”时，字线信号(MWL)就会变化到“L”。因信号(PCLK)是“H”，NMOS晶体管(405)处于导通状态，故由该NMOS晶体管(405)促进字线启动信号(WACTCLK)朝着接地电压放电。 | ||
| 搜索关键词： | 启动 电路 半导体 存储 装置 以及 集成电路 | ||
【主权项】：
一种字线启动电路，其特征在于包括：输出字线信号的输出节点；在源极接收字线启动信号，漏极与所述输出节点连接且在栅极接收第一输入信号的第一导电型的第一晶体管；源极与第一电源连接，漏极与所述输出节点连接且在栅极接收第二输入信号的第二导电型的第二晶体管；以及源极与第二电源连接，漏极与所述第一晶体管的源极连接且在栅极接收所述第二输入信号的所述第一导电型的第三晶体管。
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