[发明专利]氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法无效
| 申请号： | 201280004449.4 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103299495A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 熊野哲弥;上野昌纪;京野孝史;盐谷阳平;筑岛克典;田才邦彦;中岛博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供一种具有降低的阈值电流的氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法。所述氮化镓基半导体激光器元件具有n型包覆层15b、n侧光导层29、有源层27、p侧光导层31和p型包覆层23。有源层27的激射波长为400nm以上且550nm以下。n型包覆层15b为InxAlyGa1-x-yN(0 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体激光器 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓(GaN)基半导体激光器元件，其包含：n型GaN基半导体的n型包覆层；GaN基半导体的第一光导层，其设置于所述n型包覆层上；GaN基半导体的有源层，其设置于所述第一光导层上；GaN基半导体的第二光导层，其设置于所述有源层上；和p型GaN基半导体的p型包覆层，其设置于所述第二光导层上，其中所述有源层的激射波长为400nm以上且550nm以下，其中所述第一和第二光导层均含有铟，其中所述第一和第二光导层的铟含量各自为2%以上且6%以下，其中所述第一光导层的膜厚度处于所述第一光导层的膜厚度与所述第二光导层的膜厚度之和的65%以上且85%以下范围内，且其中所述第一光导层和所述第二光导层与所述有源层接触。
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