[发明专利]氧化物烧结体以及溅射标靶

摘要

提供一种氧化物烧结体，其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造，并兼备高的导电性和相对密度，具有高的载流子迁移率，且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)：[A/(A+B+C+D)]×100≥70 (1)。

主权项

一种氧化物烧结体，其是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的，其特征在于，当对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)：[A/(A+B+C+D)]×100≥70···(1)。