[发明专利]氧化物烧结体以及溅射标靶有效
申请号: | 201280005106.X | 申请日: | 2012-02-09 |
公开(公告)号: | CN103298767A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 金丸守贺;岩崎祐纪;松井实;后藤裕史;南部旭 | 申请(专利权)人: | 株式会社钢臂功科研 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/457;C23C14/08;C23C14/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 洪秀川 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种氧化物烧结体,其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造,并兼备高的导电性和相对密度,具有高的载流子迁移率,且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体,对所述氧化物烧结体进行X线衍射,设2θ=34°附近的XRD峰值的强度由A表示,设2θ=31°附近的XRD峰值的强度由B表示,设2θ=35°附近的XRD峰值的强度由C表示,设2θ=26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时,满足下述式(1):[A/(A+B+C+D)]×100≥70 (1)。 | ||
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【主权项】:
一种氧化物烧结体,其是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的,其特征在于,当对所述氧化物烧结体进行X线衍射,设2θ=34°附近的XRD峰值的强度由A表示,设2θ=31°附近的XRD峰值的强度由B表示,设2θ=35°附近的XRD峰值的强度由C表示,设2θ=26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时,满足下述式(1):[A/(A+B+C+D)]×100≥70···(1)。
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