[发明专利]金属钝化的化学机械抛光组合物及方法有效
申请号: | 201280005131.8 | 申请日: | 2012-01-10 |
公开(公告)号: | CN103298903A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | J.凯莱赫;P.辛格;V.布鲁希克 | 申请(专利权)人: | 嘉柏微电子材料股份公司 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邢岳 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于抛光包含铜和/或银的基板的化学机械抛光(CMP)组合物及方法。本发明的组合物包含在水性载体中的粒状研磨剂、初级成膜金属络合剂及次级成膜金属钝化剂。还公开了使用本发明组合物抛光基板的方法。 | ||
搜索关键词: | 金属 钝化 化学 机械抛光 组合 方法 | ||
【主权项】:
适用于抛光包含铜和/或银的基板的化学机械抛光(CMP)组合物,该组合物包含:(a)0.01至10重量%的粒状研磨剂;(b)0.001至1重量%的初级成膜金属络合剂,该络合剂包含式(I)A‑X‑Y‑OH的化合物、其盐、或者其部分中和形式,其中A为‑N(R1)‑C(=O)‑R2或‑C(=O)‑NH‑OH;而且X为‑C(R3)(R4)‑和Y为‑C(=O)‑,或者,X与Y一起形成芳基,在该芳基中,式(I)中的所述A和OH基团以彼此呈1,2或“邻位”关系定位;R1为H、经取代的C1‑C4烷基、或者未经取代的C1‑C4烷基;R2为经取代的C8‑C20烷基、或者未经取代的C8‑C20烷基;及R3与R4各自独立地为H、经取代的C1‑C4烷基、或者未经取代的C1‑C4烷基;(c)0.005至0.5重量%的次级成膜金属钝化剂,该钝化剂包含式(II)Z‑X2(Y2R5)(Y3R6)的化合物、其盐、或者其部分中和形式;其中Z为NH2或OH;X2为P=O或C;Y2及Y3各自独立地为N、NH或O;及R5与R6可各自独立地为R7‑(OCH2CH2)n‑,或当Y2及Y3各自独立地为N或NH时,则R5与R6可各自独立地为N、NH或CH,且与Y2和Y3一起形成具有X2、Y2及Y3的五元杂环;各R7独立地为H、C1‑C20烷基、苯基、或者经C1‑C20烷基取代的苯基;且“n”具有2‑1000的平均值;及(d)为此的水性载体。
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