[发明专利]各向异性导电膜有效

专利信息
申请号: 201280005956.X 申请日: 2012-01-05
公开(公告)号: CN103299484A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 相崎亮太;田中芳人 申请(专利权)人: 索尼化学&信息部件株式会社
主分类号: H01R11/01 分类号: H01R11/01;C09J7/00;C09J9/02;C09J201/00;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/16;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蔡晓菡;孟慧岚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 导电性粒子分散于绝缘性粘接剂中而成的各向异性导电膜使用复原率为10~46%的导电性粒子。此外,将各向异性导电膜的最低熔融粘度设为[η0],将在比显示最低熔融粘度的温度T0低60℃的温度T1下的熔融粘度设为[η1]时,满足以下的式(1)和(2),1.0×102Pa•sec≤[η0]≤1.0×106Pa•sec (1),1<[η1]/[η0]≤30 (2),优选进一步满足以下的式(3),5≤[η1]/[η0]≤15 (3)。
搜索关键词: 各向异性 导电
【主权项】:
1.各向异性导电膜,其是用于将半导体芯片的凸块与配线基板的电极进行各向异性导电连接的各向异性导电膜,该各向异性导电膜通过使导电性粒子分散于绝缘性粘接剂中而成,其特征在于,导电性粒子的复原率为10~46%,将各向异性导电膜的最低熔融粘度设为[η0],将在比显示最低熔融粘度的温度T0低60℃的温度T1下的熔融粘度设为[η1]时,满足以下的式(1)和(2),1.0×102Pasec≤[η0]≤1.0×106Pasec    (1)1<[η1]/[η0]≤30             (2)。
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