[发明专利]III族氮化物半导体激光元件及III族氮化物半导体激光元件的制造方法

摘要

提供一种可改善振荡成品率的结构的III族氮化物半导体激光元件。在第一及第二割断面（27、29）各自呈现支撑基体（17）的端面（17c）及半导体区域（19）的端面（19c）。激光结构体（13）包括第一及第二面（13a、13b），第一面（13a）为第二面（13b）的相反侧的面。第一及第二割断面（27、29）分别从第一面（13a）的边缘延伸至第二面（13b）的边缘。半导体区域（19）包含InGaN层（24）。半导体区域（19）可包含InGaN层（24）。割断面（29）包括设置于InGaN层（24）的端面（24a）的台阶（26）。台阶（26）沿着从该III族氮化物半导体激光元件（11）的一个侧面（22a）朝向另一个侧面（22b）的方向延伸。台阶（26）在割断面（27、29）中可形成于InGaN层（24）的端面（24a）的一部分或整体上。

主权项

一种III族氮化物半导体激光元件，包括：激光结构体，包括由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体和设置于上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及电极，沿着该III族氮化物半导体激光元件中的表示波导方向的波导轴的方向延伸，且设置于上述半导体区域上；在上述半导体区域中，第1氮化镓系半导体层、第2氮化镓系半导体层和活性层沿着上述半极性主面的法线轴排列，上述第1氮化镓系半导体层呈现第1导电型，上述第2氮化镓系半导体层呈现第2导电型，上述支撑基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴向上述波导轴的方向相对于上述法线轴以角度ALPHA倾斜，上述激光结构体包括与上述波导轴交叉的第1割断面及第2割断面，该III族氮化物半导体激光元件的激光共振器包括上述第1割断面及第2割断面，在上述第1割断面及第2割断面各自呈现上述支撑基体的端面及上述半导体区域的端面，上述激光结构体包括第1面及第2面，且上述第1面为上述第2面的相反侧的面，上述第1割断面及第2割断面分别从上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，上述半导体区域包含InGaN层，上述第1割断面包括设置于上述InGaN层的端面的台阶，上述台阶沿着从该III族氮化物半导体激光元件的一侧面朝向另一侧面的方向延伸。