[发明专利]具有非对称结构的绝缘体上半导体器件

摘要

SOI工艺的具有减小的结面积的器件结构、制造所述器件结构的方法，以及横向二极管（56）的设计结构。所述器件结构包括一个或多个介电区域（20a、20b、20c），例如STI区域，其位于器件区域（18）中并与阳极（40、42）和阴极（28、30、48a、48b、49a、49b、50a、50b）之间的p-n结（52、54）相交。可以使用浅沟槽隔离技术形成的所述介电区域用于针对与p-n结横向间隔的位置处的所述阴极和所述阳极的宽度范围减小p-n结的宽度。该宽度差异和该介电区域的存在将产生非对称二极管结构。最小化所述介电区域占用的所述器件区域的体积以便保持所述阴极和阳极的体积。

主权项

一种在绝缘体上半导体（SOI）衬底的半导体层中制造器件结构的方法，所述方法包括：在所述半导体层中形成阴极，其包括第一导电类型和第一宽度的第一区域；以及在所述半导体层中形成包括第二导电类型的第一区域的阳极，所述阳极相对于所述阴极设置，以便所述阳极的所述第一区域与所述阴极的所述第一区域沿着p‑n结共同延伸，所述p‑n结具有沿着与所述第一宽度平行的方向测量的第二宽度，并且所述第二宽度短于在与所述p‑n结横向间隔的位置处测量的所述第一区域的所述第一宽度。