[发明专利]用于EUV光刻的反射镜的基底有效
| 申请号： | 201280006089.1 | 申请日： | 2012-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103328664A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | C.埃克斯坦;H.马尔特 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C21/00;C22C29/00;G02B5/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)，其中所述基础体(2)由沉淀硬化合金，由合金系的金属间相，由颗粒复合材料或由具有在相应合金系统的相图中位于由相稳定线定界的区域中的组成的合金制成。尤其优选的是，所述基础体(2)由沉淀硬化铜或铝合金制成。此外，高反射层(6)设置在EUV反射镜(5)的基底(1)的抛光层(3)上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 euv 光刻 反射 基底 | ||
【主权项】：
一种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底，其特征在于，所述基础体(2)由沉淀硬化合金制成。
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