[发明专利]透明导电性薄膜有效
| 申请号： | 201280006323.0 | 申请日： | 2012-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN103339689A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 梨木智刚;野口知功;拝师基希;石桥邦昭 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B7/02;B32B9/00;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | [课题]使用薄膜基材时，以以往的铟锡氧化物的3层膜的构成，铟锡氧化物不能结晶化、或结晶化非常耗费时间。[解决手段]本发明的透明导电性薄膜10具备：具有2个主面的薄膜基材11、和形成于薄膜基材11的一个主面的透明导电膜12。透明导电膜12为从薄膜基材11侧起依次层叠有第一铟锡氧化物层13、第二铟锡氧化物层14、第三铟锡氧化物层15的3层膜。第一铟锡氧化物层13的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层14的氧化锡含量少。第三铟锡氧化物层15的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层14的氧化锡含量少。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜，其特征在于，其具备：具有2个主面的薄膜基材、和形成于所述薄膜基材的一个主面的透明导电膜；所述透明导电膜为从所述薄膜基材侧起依次层叠有第一铟锡氧化物层、第二铟锡氧化物层和第三铟锡氧化物层的3层膜，所述第一铟锡氧化物层的氧化锡含量比所述第二铟锡氧化物层的氧化锡含量少，所述第三铟锡氧化物层的氧化锡含量比所述第二铟锡氧化物层的氧化锡含量少。
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