[发明专利]半导体集成电路装置以及高频模块有效
| 申请号： | 201280006482.0 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103339858A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 中岛秋重 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03K17/693 | 分类号： | H03K17/693;H04B1/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可实现提高高频信号的失真特性的半导体集成电路装置、以及具备该半导体集成电路装置的高频模块。例如，包括：分别与接收端子（RX1、RX2）相连接的接收开关用晶体管（Q_RX1、Q_RX2）、以及汇集（Q_RX1、Q_RX2）的一端并与天线连接端子（PNant）相连接的接收开关用公共晶体管（Q_RXcom）。此时，（Q_RXcom）的栅极宽度被设定为（Q_RX1）的栅极宽度与（Q_RX2）的栅极宽度的总和。由此，在进行发送动作时，能通过（Q_RXcom）、（Q_RX1）、（Q_RX2）几乎均一地对（PNant）的电压（Vin）进行分压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 以及 高频 模块 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路装置，其特征在于，包括：天线端子，该天线端子为天线连接用，并向天线传输第1发送信号；第1至第N（N为2以上的整数）端子；公共晶体管，该公共晶体管的源漏极路径连接于所述天线端子与公共节点之间，并在向所述天线端子传输所述第1发送信号时，将该公共晶体管控制成截止状态；以及第1至第N晶体管，该第1至第N晶体管各自的源漏极路径连接于所述公共节点与所述第1至第N端子之间，并在将所述公共晶体管控制成截止状态时，也将该第1至第N晶体管控制成截止状态，所述公共晶体管的栅极宽度在所述第1至第N晶体管的各栅极宽度的总和的±20%的范围内。
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