[发明专利]氧化物型半导体材料及溅镀靶有效
| 申请号： | 201280006660.X | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103582953A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 德地成纪;石井林太郎;附田龙马;久保田高史;高桥广己 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363;C01G19/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体材料 溅镀靶 | ||
【主权项】：
一种氧化物型半导体材料，其特征在于包含Zn氧化物及Sn氧化物，并含有Mg、Ca、La、Y中的任一种以上作为掺杂剂，该掺杂剂的含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
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