[发明专利]Sn合金隆起物的制造方法有效
| 申请号： | 201280006685.X | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103339718A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 八田健志;增田昭裕 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C25D5/10;C25D5/50;C25D7/00;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种容易控制Sn合金隆起物的组成的Sn合金隆起物的制造方法。本发明的Sn合金隆起物的制造方法为由Sn与其他一种或两种以上的金属的合金形成的Sn合金隆起物的制造方法，其具有如下工序：通过电解电镀，在形成于基板（1）上的保护层开口部（2a）内的电极焊盘（3）上形成Sn层（4a）；通过电解电镀，在Sn层（4a）上层叠Sn与合金层（4b）；及去除保护层（2）后，熔融Sn层（4a）与层叠的合金层（4b）来形成Sn合金隆起物（5）。 | ||
| 搜索关键词： | sn 合金 隆起 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Sn合金隆起物的制造方法，其为由Sn与其他一种或两种以上的金属的合金形成的Sn合金隆起物的制造方法，其特征在于，具有如下工序：通过电解电镀，在形成于基板上的保护层开口部内的电极上形成Sn层；通过电解电镀，在所述Sn层上层叠Sn与所述其他金属的合金层；及去除所述保护层后，熔融所述Sn层与所述合金层来形成Sn合金隆起物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
