[发明专利]用于磁传感器阵列的制造工艺和布局

摘要

磁传感器包括多个组，每个组包括多个磁隧道结（MTJ）器件，多个导体配置为将一个组内的MTJ器件并联耦合并且将组串联耦合，实现了MTJ的材料电阻面积（RA）的独立优化，并且设置总器件电阻使得总桥电阻不会高得约翰逊噪声成为信号限制因素，又不会低得CMOS元件会减弱读信号。替选地，至少两个组中的每个内的磁隧道结器件串联，该至少两个组并联，导致参考层的磁参考方向和电连接路径的独立配置，获得两个功能的独立优化以及更大的器件设计和布局自由。感测元件的X和Y节距布置为使得线段既稳定例如一个感测元件的右侧，又稳定相邻感测元件的左侧。

主权项

一种磁传感器阵列，包括：被分成多个组的多个磁隧道结器件，其中所述多个磁隧道结器件中的每一个磁隧道结器件包括：参考元件，包括：电极；以及设置在该电极之上的参考层；形成在该参考层之上的隧道势垒；以及形成在该隧道势垒之上的多个感测元件；以及与在所述多个磁隧道结器件中的各磁隧道结器件相邻地设置的相应导体，其中各磁隧道结器件的电极和相应导体配置为：(a)并联地电耦合所述多个组中每个组内的磁隧道结器件且串联地电耦合所述多个组；或者(b)串联地电耦合所述多个组中的每个组内的磁隧道结器件且并联地电耦合所述多个组。