[发明专利]层积铁芯及其制造方法有效
| 申请号： | 201280007756.8 | 申请日： | 2012-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103339828A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 長井亮;小田仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社三井高科技 |
| 主分类号： | H02K1/18 | 分类号： | H02K1/18 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;吴立 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种层积铁芯及其制造方法，该层积铁芯能够确保其每个铁芯片的层积强度，提供良好的磁效率并降低损耗。层积铁芯(10)包括第一填塞部(14)和第二填塞部(16)，该第一填塞部(14)形成在如下区域中：穿过该区域的磁通密度高压穿过其他区域的磁通密度，该第二填塞部(16)形成在所述其他区域中。在该层积铁芯(10)中，将在层积方向上彼此邻接的分割铁芯片(12)的第一填塞部(14)的凹进子部(14a)与突出子部(14b)的接合面积（A）设定成小于在层积方向上彼此邻接的第二填塞部(16)的凹进子部(16a)与突出子部(16b)的接合面积（B）。 | ||
| 搜索关键词： | 层积 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种层积铁芯，包括：多个铁芯片，该多个铁芯片彼此填塞并层积；第一填塞部，该第一填塞部形成在每个所述铁芯片的如下区域中：穿过该区域的磁通密度高于穿过其他区域的磁通密度；以及第二填塞部，该第二填塞部形成在所述铁芯片的所述其他区域中，其中，在层积方向上相互邻接的所述铁芯片的所述第一填塞部的接合面积A小于在所述层积方向上相互邻接的所述第二填塞部的接合面积B。
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