[发明专利]包括高场区的半导体器件及相关方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件（100）。在一个实施例中，一种半导体器件包括：位于硅层（107）中的P阱（112）中的N阱（114），所述硅层（107）位于绝缘体上硅（SOI）衬底的掩埋氧化物层（109）顶上；位于所述P阱（112）的一部分中的第一源极区（125）和第二源极区（127）；位于所述P阱（112）的一部分中且位于所述N阱（114）的一部分中的第一漏极区（145）和第二漏极区（147）；以及位于所述N阱（114）顶上的栅极（150），其中在所述N阱（114）与所述P阱（112）之间产生横向高场区并且在所述栅极（150）与所述N阱（114）之间产生垂直高场区。公开了相关方法。

主权项

一种半导体器件，包括：位于硅层中的P阱中的N阱，所述硅层位于绝缘体上硅（SOI）衬底的掩埋氧化物层顶上；位于所述P阱的一部分中的第一源极区和第二源极区；位于所述P阱的一部分中并位于所述N阱的一部分中的第一漏极区和第二漏极区；以及位于所述N阱顶上的栅极，其中在所述N阱与所述P阱之间产生横向高场区并且在所述栅极与所述N阱之间产生垂直高场区。