[发明专利]绝缘栅极型半导体装置

摘要

在基板的周围引出MOSFET的栅极电极的栅极引出配线的引出部成为不能配置以与元件区域内同等的效率发挥作用的MOSFET的晶体管单元C的非工作区域。也就是说，如果将栅极引出配线例如沿着芯片的四个边配置，则非工作区域增加，从而在元件区域面积的扩大及芯片面积的缩小方面存在局限性。将栅极引出配线与连接栅极引出配线和保护二极管的导电体沿着芯片的同一边配置成不弯曲的一直线状。并且，在栅极引出配线和导电体上重叠而延伸并且使保护二极管与这些栅极引出配线和导电体连接的第一栅极电极层的弯曲部在一个以下。此外，将保护二极管与导电体或者栅极引出配线邻接配置，将保护二极管的一部分接近栅极焊盘部配置。

主权项

一种绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，包括：一导电型半导体层；元件区域，设置于所述一导电型半导体层的表面，并且配置有绝缘栅极型半导体元件的晶体管单元；栅极焊盘部，设置于该元件区域上，与所述晶体管单元的栅极电极连接；保护二极管，连接于所述晶体管单元的源极电极与所述栅极电极之间；栅极引出配线，配置于所述一导电型半导体层的周边部，将所述栅极电极引出到所述一导电型半导体层上并与所述栅极焊盘部连接；导电体，与该栅极引出配线和所述保护二极管连接；所述栅极引出配线和所述导电体不弯曲，沿着所述一导电型半导体层的一边设置为一直线状。